詳情介紹

HS261是一個鎖存型的霍爾效應(yīng)開關(guān)IC，采用先進的BiCMOS制程制造，具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和很高的抗機械應(yīng)力性能，產(chǎn)品工作溫度可以達到125℃。HS261采用動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)以及溫度補償技術(shù)，大幅降低了由于封裝應(yīng)力，環(huán)境溫度變化等因素造成的失調(diào)電壓，使產(chǎn)品磁靈敏度持高度的一致性。
HS261包含穩(wěn)壓輸出模塊，霍爾薄片，信號放大模塊，動態(tài)失調(diào)消除模塊以及帶有限流保護的功率輸出級。

當磁場南極靠近HS261TO 標識面，磁場強度達到閾值時，功率管導(dǎo)通，輸出低電平。當磁場北極靠近HS261TO標識面，磁場強度達到閾值時，功率管截止，輸出高電平。

內(nèi)置的穩(wěn)壓輸出電路模塊可以讓芯片工作在2.5V至28V電源電壓范圍。

HS261提供TO-92S和TSOT23-3兩種封裝，均為符合RoHS規(guī)范，產(chǎn)品的使用環(huán)境溫度范圍為-40~125℃。

產(chǎn)品特點

1.工作范圍寬，2.5~28V
2.開關(guān)點高度對稱
3.反向電壓保護，可到-40V
4.具有斬波穩(wěn)定功能，批次之間的一致性好
5.30V過壓保護，避免IC因電源電壓脈沖而損壞
6.溫度穩(wěn)定性優(yōu)異，可工作到125℃
7.輸出級限流保護30mA
8.輸出級36V過壓保護，避免輸出腳被干擾電壓擊穿小尺寸，TO-92S和TSOT23-3封裝
9.內(nèi)置上拉電阻
10.抗機械應(yīng)力
11.ESD HBM 4000V


主要應(yīng)用

1.直流無刷馬達
2.速度檢測
3.線性位置檢測
4.角度檢測裝置
8.轉(zhuǎn)速檢測